挑战ASML的EUV光刻机:美国采用电子束,俄罗斯采用X射线
目前的芯片造造手艺,是离不开光刻机的。而EUV光刻机,更是成为了尖端半导体系体例造手艺的代名词,因为所有7nm及以下的芯片造造,离不开EUV光刻机。而全球仅有ASML可以消费EUV光刻机。
不外目前ASML也碰到了手艺瓶颈,那就是接纳**.*nm波长的EUV光刻机,就算到202*年推出全新的0.**数值孔径的全新一代High-NA极紫外光刻机,其极限可能也在2nm。
而ASML的首席手艺官Martin van den Brink近日暗示,High-NA可能是EUV光刻机的极限,代表着2nm可能就是EUV光刻机的尽头了,*nm以下可谓难如登天。
而只要光刻机手艺无法前进,芯片工艺就无法前进,摩尔定律就实的死了,所以全球的厂商们,都在想方设法,用其它手艺来挑战EUV光刻机。
一方面是为了抢ASML的市场,别的一方面则是为摩尔定律续命。
近日美国公司Zyvex Labs暗示,他们推出了亚纳米分辩率的光刻系统Zyvex Litho *,分辩率能够到达0.7*8nm,大约是两个硅原子的宽度,而且造造出了0.7*8nm的废品芯片。
那就打破了EUV光刻机的极限了,而且利用的是差别于EUV的光刻手艺,接纳的是EBL电子束光刻体例。
不外目前那种手艺的缺点是产量很低,无法大规模造造芯片,但至少代表了一个手艺标的目的,说不定将来手艺改良,可以大规模造造芯片了呢?
而俄罗斯,之前则公布了别的一种手艺,那就是基于X射线的无掩膜式光刻。
那种手艺与EUV光刻机,有两种差别之处。一是接纳X射线,波长介于0.0*nm至*0nm之间,比**.*nm的极紫外线波长更小,从而精度更高。二是无掩膜,间接把持X射线停止光刻,不需要提早造做掩膜。
不外俄罗斯目前并没有造造出废品芯片,也没有打破EUV光刻机的极限,还只是一个理论标的目的。
接下来就看ASML、美国、俄罗斯们的手艺前进了,看谁可以实正打破EUV光刻机的极限,打破2nm造程,接档EUV光刻机,让摩尔定律可以继续成立。
当然,我们也更希望中国的厂商们,可以成为打破EUV手艺极限中的一员,究竟结果我们已经被光刻机卡住太久的脖子了,急需打破。